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Marks II, R J
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Pág. 193 - 193
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Moon, S; Hwang, J-N
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Pág. 194 - 204
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Chang, R-I; Hsiao, P Y
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Pág. 205 - 217
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Bauer, H-U; Villmann, T
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Pág. 218 - 226
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Tamura, S; Tateishi, M
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Pág. 251 - 255
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Villmann, T; Der, R; Herrmann, M; Martinetz, T M
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Pág. 256 - 266
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Leung, C-S; Chan, L-W; Lai, E M K
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Pág. 267 - 277
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Guo, C; Kuh, A
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Pág. 278 - 287
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Voudouri-Maniati, E; Kurz, L; Kowalski, J M
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Pág. 288 - 298
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Zhang, C-X; Mlynski, D A
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Pág. 299 - 314
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Ienne, P; Thiran, P; Vassilas, N
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Pág. 315 - 330
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Lee, S-W; Song, H-H
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Pág. 331 - 340
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Gopalsamy, K; Leung, I K C
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Pág. 341 - 348
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Thimm, G; Fiesler, E
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Pág. 349 - 359
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Chan, H Y; Zak, S H
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Pág. 360 - 372
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Han, Y; Xiu, L; Wang, Z; Chen, Q; Tan, S
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Pág. 373 - 389
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Pedrycz, W; Waletzky, J
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Pág. 390 - 401
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Roy, A; Mukhopadhyay, S
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Pág. 402 - 412
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Montalvo, A J; Gyurcsik, R S; Paulos, J J
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Pág. 413 - 423
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Rezaul Hasan, S M; Siong, N K
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Pág. 424 - 436
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Bersini, H; Gorrini, V
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Pág. 437 - 440
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Funabiki, N; Nishikawa, S
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Pág. 441 - 444
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Atiya, A; Ji, C
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Pág. 448 - 451
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Rios-Patron, E; Braatz, R D
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Pág. 452 - 452
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Li, J-Y; Chow, T W S
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Pág. 452 - 453
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Igelnik, B; Pao, Y-H
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Pág. 454 - 454
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Chen, K; Xie, D; Chi, H
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Pág. 455 - 455
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Hassoun, M H
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Pág. 456 - 456
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