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An Electrothermal Model for AlGaN/GaN Power HEMTs Including Trapping Effects to Improve Large-Signal Simulation Results on High VSWR

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Jardel, O.; De Groote, F.; Reveyrand, T.; Jacquet, J.-C.; Charbonniaud, C.; Teyssier, J.-P.; Floriot, D.; Quere, R. Pág. 2660 - 2669

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 55 Num: 12 Par: 2/2 Año: 2007

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