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ARTÍCULO
TITULO

An Electrothermal Model for AlGaN/GaN Power HEMTs Including Trapping Effects to Improve Large-Signal Simulation Results on High VSWR

Jardel    
O.    
De Groote    
F.    
Reveyrand    
T.    
Jacquet    
J.-C.    
Charbonniaud    
C.    
Teyssier    
J.-P.    
Floriot    
D.    
Quere    
R.    

Resumen

No disponible

PÁGINAS
pp. 2660 - 2669