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S.H. Lee, D.H. Shin, H.J. Kim, S. Park and J.S
Pág. 399 - 406
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R A Dalloul, H S Lillehoj, J S Lee, S H Lee, K S Chung
Pág. 446 - 451
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Wang, J.-S. Lee, C. S. G.
Pág. 283 - 295
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Lee, J.-S. Cloude, S. R. Papathanassiou, K. P. Grunes, M. R. Woodhouse, I. H.
Pág. 2254 - 2263
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De Grandi, G. Lee, J.-S. Schuler, D. Nezry, E.
Pág. 2070 - 2088
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Chen, C.-T. Chen, K.-S. Lee, J.-S.
Pág. 2089 - 2100
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Schuler, D. L. Lee, J.-S. Kasilingnam, D. Nesti, G.
Pág. 687 - 698
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Lee, J.-S. Bae, D.-H.
Pág. 1317 - 1344
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Lee, J.-S. Schuler, D. L. Ainsworth, T. L. Krogager, E. Kasilingam, D. Boerner, W.-M.
Pág. 30 - 41
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Jeong, I. Shin, S.-H. Go, J.-H. Lee, J.-S. Nam, C.-M. Kim, D.-W. Kwon, Y.-S.
Pág. 2850 - 2855
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