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M. Nosonovsky and G. G. Adams
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Pág. 490 - 495
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John I. McCool
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Pág. 496 - 502
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B. Y. Sarma and M. M. Mayuram
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Pág. 503 - 510
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Dale L. Hartsock and James W. Fash
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Pág. 511 - 518
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Jianqun Gao, Si C. Lee, Xiaolan Ai, and Harvey Nixon
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Pág. 519 - 523
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Abdallah A. Elsharkawy and Lotfi H. Guedouar
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Pág. 524 - 533
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Yeyuan Yang, Steven Danyluk, and Michael Hoeprich
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Pág. 534 - 538
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Lei Shan, Joseph Levert, Lorne Meade, John Tichy, and Steven Danyluk
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Pág. 539 - 543
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Jonathan Thornburg and David Leith
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Pág. 544 - 549
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A. Shirizly and J. G. Lenard
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Pág. 550 - 556
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Young-Ze Lee, Seong-Hun Jeong, and Kwang-Seob Jeong
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Pág. 557 - 564
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Qin Zhu and W. J. Zhang
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Pág. 565 - 572
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S. Kamiyama and M. M. Khonsari
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Pág. 573 - 577
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K. S. Ducotey and J. K. Good
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Pág. 578 - 584
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Charles Baroud, Ilene Busch-Vishniac, and Kristin Wood
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Pág. 585 - 589
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José M. Madiedo, José M. Franco, Concepción Valencia, and Críspulo Gallegos
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Pág. 590 - 596
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Chao Zhang, Zixia Yi, and Zhiming Zhang
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Pág. 597 - 602
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Bo Zhang and Akira Nakajima
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Pág. 603 - 608
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N. Tandon and A. Choudhury
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Pág. 609 - 615
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Tiesheng Zheng and Norio Hasebe
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Pág. 616 - 621
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Amro M. Al-Qutub, D. Elrod, and Hugh W. Coleman
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Pág. 622 - 627
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Takahisa Kato, Souta Watanabe, and Hiroshige Matsuoka
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Pág. 633 - 638
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Yasuhisa Ando
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Pág. 639 - 645
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Binshi Xu, Wei Zhang, Shining Ma, Baohong Tian, and Xiubing Liang
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Pág. 646 - 649
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A. Ravikiran
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Pág. 650 - 656
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