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Onggosanusi, E. N. Sayeed, A. M. Van Veen, B. D.
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Pág. 1 - 13
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Jinguu, S. Nakabayashi, H. Kozono, S.
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Pág. 108 - 111
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Wang, X. Wang, Z. O Dea, B.
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Pág. 112 - 116
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Yousef, N. R. Sayed, A. H. Jalloul, L. M. A.
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Pág. 117 - 126
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Lee, S. J. Ahn, J.
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Pág. 127 - 131
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Lin, P. Lin, Y.-B. Chlamtac, I.
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Pág. 132 - 141
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Zhao, X. Kivinen, J. Vainikainen, P. Skog, K.
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Pág. 14 - 23
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Wang, B. Kwon, H. M.
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Pág. 142 - 149
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Hernandez, J. I. Kuo, C.-Y.
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Pág. 150 - 161
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Huang, A. R. W. Chen, C.
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Pág. 162 - 172
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Oved, T. Weiss, S.
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Pág. 173 - 183
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Wagner, J. R. Dawson, D. M. Zeyu, L.
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Pág. 184 - 195
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Huang, H. Tsang, D. H. K. Ko, T.-M. Kuhn, P. J.
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Pág. 196 - 204
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Chiasserini, C.-F. Meo, M.
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Pág. 205 - 215
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Haung, Y.-R.
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Pág. 216 - 225
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Leelahakriengkrai, R. Agrawal, R.
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Pág. 226 - 239
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Lee, J. S. Y. Zhuang, W.
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Pág. 24 - 36
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Pan, J.-Y. Lee, W.-T. Huang, N.-F.
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Pág. 240 - 253
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Jormakka, J.
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Pág. 254 - 259
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Laster, J. D. Reed, J. H. Tranter, W. H.
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Ryu, H.-G. Park, J.-M. Kim, K.-K. Choi, Y.-K.
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Pág. 267 - 273
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Rhee, J.-H. Woo, M.-Y. Kim, D.-K.
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Pág. 37 - 47
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Zhou, X. Wang, X.
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Pág. 48 - 59
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Krishnamurthy, S. V. Acampora, A. S. Zorzi, M.
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Pág. 60 - 70
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Wen, J.-H. Sheu, J.-S. Wang, J.-Y. Chen, J.-L. Woo, T.-K.
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Pág. 80 - 95
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Zhang, W. R. Bhargava, V. K. Guo, N.
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Pág. 96 - 107
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