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A Simple Four-Port Parasitic Deembedding Methodology for High-Frequency Scattering Parameter and Noise Characterization of SiGe HBTs

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Liang, Q. Cressler, J. D. Niu, G. Lu, Y. Freeman, G. Ahlgren, D. C. Malladi, R. M. Newton, K. Harame, D. L. Pág. 2165 - 2174

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 51 Num: 11 Par: 0 Año: 2003

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