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Characterization of threading dislocations in GaN using low-temperature aqueous KOH etching and atomic force microscopy

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I. Han, R. Datta, S. Mahajan, R. Bertram, E. Lindow, C. Werkhoven, C. Arena Pág. 1171 - 1173

Revista: SCRIPTA MATERIALIA Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 59 Num: 11 Par: 0 Año: 2008

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