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A High-Power and High-Gain X-Band Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor

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Ma, Z. Mohammadi, S. Bhattacharya, P. Katehi, L. P. B. Alterovitz, S. A. Ponchak, G. E. Pág. 1101 - 1108

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 50 Num: 4 Par: 0 Año: 2002

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