AVANZADA

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Effects of Doping Concentration on Device Performance of GaN-based Nano-regime MOSFETs

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Md Iktiham Bin Taher, Md. Tanvir Hasan Pág. 69 - 74

Revista: AIUB Journal of Science and Engineering Formato: Electrónico

Tabla de contenido: Vol: 16 Num: 1 Par: 0 Año: 2017

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