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A High-Power and High-Gain X-Band Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor

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Ma, Z. Mohammadi, S. Bhattacharya, P. Katehi, L. P. B. Alterovitz, S. A. Ponchak, G. E. Pág. 1101 - 1108

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 50 Num: 4 Par: 0 Año: 2002

X- and Ku-Band Amplifiers Based on Si/SiGe HBT's and Micromachined Lumped Components

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Rieh, J-S; Lu, L-H; Katehi, L P B; Bhattacharya, P; Croke, E T; Ponchak, G Pág. 685 - 694

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 46 Num: 5 (2) Par: 0 Año: 1998

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