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30-GHz-band over 5-W power performance of short-channel AlGaN/GaN heterojunction FETs

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Inoue, T.; Ando, Y.; Miyamoto, H.; Nakayama, T.; Okamoto, Y.; Hataya, K.; Kuzuhara, M. Pág. 74 - 80

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 53 Num: 1 Par: 0 Año: 2005

V-Band HJFET MMIC DROs With Low Phase Noise, High Power, and Excellent Temperature Stability

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Hosoya, K. Keiichi Ohata, E. Funabashi, M. Inoue, T. Kuzuhara, M. Pág. 2250 - 2258

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 51 Num: 11 Par: 0 Año: 2003

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