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Enhanced beam currents of P2+, P3+, and P4+ for use in semiconductor ion implanters

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V. I. Gushenets, A. S. Bugaev, E. M. Oks, A. Hershcovitch, B. M. Johnson, T. V. Kulevoy, H. J. Poole, and A. Ya. Svarovsky Pág. -

Revista: REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 76 Num: 8 Par: 0 Año: 2005

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