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Samra Saleem, Ammara Maryam, Kaneez Fatima, Hadia Noor, Fatima Javed and Muhammad Asghar    
To realize practical applications of nanowire-based devices, it is critical, yet challenging, to control crystal structure growth of III-V semiconductor nanowires. Here, we demonstrate that controlled wurtzite and zincblende phases of InAs nanowires can ... ver más
Revista: Coatings    Formato: Electrónico

 
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Enrico Giulotto and Mario Geddo    
Micro-Raman mapping can provide detailed information about the strain distribution in GaAsN/GaASN:H planar heterostructures.
Revista: Applied Sciences    Formato: Electrónico

 
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Sano E.     Pág. 154 - 158
Revista: IEEE COMMUNICATIONS MAGAZINE    Formato: Impreso

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