AVANZADA

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Influence of the Localization of Ge Atoms within the Si(001)(4 × 2) Surface Layer on Semicore One-Electron States

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Olha I. Tkachuk, Maria I. Terebinskaya, Victor V. Lobanov and Alexei V. Arbuznikov

Revista: Computation Formato: Electrónico

Tabla de contenido: Vol: 4 Num: 1 Par: March Año: 2016

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