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A High-Power and High-Gain X-Band Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor
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Ma, Z. Mohammadi, S. Bhattacharya, P. Katehi, L. P. B. Alterovitz, S. A. Ponchak, G. E.
Pág. 1101 - 1108
Revista:
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Formato:
Impreso
Tabla de contenido:
Vol: 50 Num: 4 Par: 0 Año: 2002
SPECIAL ISSUE ON MICROWAVE AND COMMUNICATION APPLICATIONS AT LOW TEMPERATURE - PAPERS - A Cryogenic K-Band Ground Terminal for NASA'S Direct-Data-Distribution Space Experiment
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usuarios registrados
Romanofsky, R R; Warner, J D; Alterovitz, S A; Covey, L; Smith, A; Newman,
Pág. 1216 - 1220
Revista:
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Formato:
Impreso
Tabla de contenido:
Vol: 48 Num: 7(2) Par: 0 Año: 2000
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