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MOS capacitors with PECVD SiO~xN~y insulating layer

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Albertin, K. F. Pereyra, I. Alayo, M. I. Pág. 149 - 154

Revista: MATERIALS CHARACTERIZATION Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 50 Num: 2-3 Par: 0 Año: 2003

Silicon clusters in PECVD silicon-rich SiO~xN~y

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Oliveira, R. A. R. Ribeiro, M. Pereyra, I. Alayo, M. I. Pág. 161 - 166

Revista: MATERIALS CHARACTERIZATION Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 50 Num: 2-3 Par: 0 Año: 2003

Study of nitrogen-rich silicon oxynitride films obtained by PECVD

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Criado, D. Pereyra, I. Alayo, M. I. Pág. 167 - 172

Revista: MATERIALS CHARACTERIZATION Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 50 Num: 2-3 Par: 0 Año: 2003

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