AVANZADA

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Comparative Study of Single and Double Barrier GaAs/Al0.3Ga0.7As Based Resonant Tunneling Diodes Considering NEGF

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Mr. Mehedi Hasan, M. Tanseer Ali, Md. Kamrul Hasan, Shaira Tashnub Torsa, Mahfujur Rahman Pág. 176 - 184

Revista: AIUB Journal of Science and Engineering Formato: Electrónico

Tabla de contenido: Vol: 21 Num: 3 Par: 0 Año: 2022

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