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Low noise, low power consumption high electron mobility transistors amplifier, for temperatures below 1 K

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Oukhanski, N. Grajcar, M. Il ichev, E. Meyer, H.-G. Pág. 1145 - 1146

Revista: REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 74 Num: 2 Par: 0 Año: 2003

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