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A Low-Current and Low-Distortion Wide-Band Amplifier Using 0.2-mm Gate MODFET Fabricated by Using Phase-Shift Lithography

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Ishida, H; Miyatsuji, K; Tanaka, T; Takenaka, H; Furukawa, H; Nishitsuji, M Pág. 771 - 776

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 48 Num: 5 Par: 0 Año: 2000

A Low-Power GaAs Front-End IC with Current-Reuse Configuration Using 0.15-mm-Gate MODFET's

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Ishida, H; Koizumi, H; Miyatsuji, K; Takenaka, H; Tanaka, T; Ueda, D Pág. 1303 - 1307

Revista: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES Formato: Impreso

Tabla de contenido: Vol: 48 Num: 8 Par: 0 Año: 2000

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