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Gate Length Effect on Gallium Nitride Based Double Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
Acceso
en línea
Md Rabiul Islam, Md Kamrul Hasan, Md Abdul Mannan, M Tanseer Ali, Md Rokib Hasan
Pág. 73 - 80
s-
Revista:
AIUB Journal of Science and Engineering
Formato:
Electrónico
Tabla de contenido:
Vol: 18 Num: 2 Par: 0 Año: 2019
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