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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES

Inicio / IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES / Vol: 50 Núm: 4 Par: 0 (2002) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

A High-Power and High-Gain X-Band Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor

Ma

Z. Mohammadi

S. Bhattacharya

P. Katehi

L. P. B. Alterovitz

S. A. Ponchak

G. E.

Resumen

No disponible

PÁGINAS

pp. 1101 - 1108

NÚMERO

Volumen: 50 Número: 4 Parte: 0 (2002)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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