REVISTA
IEEE TRANSACTIONS ON RELIABILITY

Inicio / IEEE TRANSACTIONS ON RELIABILITY / Vol: 51 Núm: 3 Par: 0 (2002) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

Elimination of Bipolar Induced Drain Breakdown and Single Transistor Latch in Submicron PD SOI MOSFET

Kumar

M. J. Verma

V.

Resumen

No disponible

PÁGINAS

pp. 367 - 370

NÚMERO

Volumen: 51 Número: 3 Parte: 0 (2002)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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