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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES

Inicio / IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES / Vol: 50 Núm: 12 Par: 0 (2002) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

Prediction of IMD in LDMOS Transistor Amplifiers Using a New Large-Signal Model

Fager

C. Pedro

J. C. de Carvalho

N. B. Zirath

H.

Resumen

No disponible

PÁGINAS

pp. 2834 - 2842

NÚMERO

Volumen: 50 Número: 12 Parte: 0 (2002)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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