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ARTÍCULO
TITULO

InAs/AlSb HEMT and Its Application to Ultra-Low-Power Wideband High-Gain Low-Noise Amplifiers

Ma    
B. Y.    
Bergman    
J.    
Chen    
P.    
Hacker    
J. B.    
Sullivan    
G.    
Nagy    
G.    
Brar    
B.    

Resumen

No disponible

PÁGINAS
pp. 4448 - 4455