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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES

Inicio / IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES / Vol: 50 Núm: 11 Par: 0 (2002) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

DC, RF, and Microwave Noise Performances of AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrates

Lu

W. Kumar

V. Schwindt

R. Piner

E. Adesida

I.

Resumen

No disponible

PÁGINAS

pp. 2499 - 2504

NÚMERO

Volumen: 50 Número: 11 Parte: 0 (2002)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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