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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES

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Inicio / IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES / Vol: 50 Núm: 1 Par: 1 (2002) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

GaN-Based High Electron-Mobility Transistors for Microwave and RF Control Applications

Drozdovski

N. V. Caverly

R. H.

Resumen

No disponible

PÁGINAS

pp. 4 - 8

NÚMERO

Volumen: 50 Número: 1 Parte: 1 (2002)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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