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ARTÍCULO
TITULO

A Simple Four-Port Parasitic Deembedding Methodology for High-Frequency Scattering Parameter and Noise Characterization of SiGe HBTs

Liang    
Q. Cressler    
J. D. Niu    
G. Lu    
Y. Freeman    
G. Ahlgren    
D. C. Malladi    
R. M. Newton    
K. Harame    
D. L.    

Resumen

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