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Vol: 9 Par: 11 (2019)
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Artículo
ARTÍCULO
TITULO
Atomic Layer Deposition (ALD) of Metal Gates for CMOS
Chao Zhao and Jinjuan Xiang
Resumen
Metal gate of CMOS devices.
Palabras claves
COMS
-
metal gate
-
atomic layer deposition
-
high-? dielectric
-
threshold voltage
-
flatband voltage
-
effective work function
-
effective oxide thickness
Acceso
PÁGINAS
pp. 0 - 0
NÚMERO
Volumen: 9 Parte: 11 (2019)
MATERIAS
INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL
TECNOLOGÍA
DOI
https://doi.org/10.3390/app9112388
Revistas destacadas
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